Soluciones Guemacar

Descripción

Transistor MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 140 W

Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V

Tensión compuerta-fuente Vgs: 10 V

Corriente continua de drenaje Id: 33 A