Soluciones Guemacar

Descripción

Transistor BUK7614-55A encapsulado D2PAK

Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N de nivel estándar en un plástico
paquete con tecnología TrenchMOS.

Este producto ha sido diseñado y calificado para su uso en aplicaciones críticas de automoción.

Características
VDS drain-source voltage máx– 55 V
ID drain current máx – 73 A
Ptot total power dissipation – 166 W