Soluciones Guemacar

Descripción

Transistor IRFB11N50A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total (Pd): 170 W

Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V

Tensión compuerta-fuente Vgs: 10 V

Corriente continua de drenaje Id: 11 A